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    2012

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    光伏逆变器升压SiC碳化硅二极管,光伏逆变器SiC MOSFET,国产IGBT Hybrid Discrete,IGBT单管,国产混合IGBT单管,国产混合三电平SiC-IGBT模块,SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模块,SOT-227碳化硅肖特基二极管模块,混合SiC-IGBT模块,BASiC基本混合混合SiC-IGBT单管,国产分立碳化硅MOSFET,国产TO263-7碳化硅MOSFET,国产碳化硅(SiC)MOSFET,储能逆变器SiC MOSFET,光伏

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大芯超导有限公司元器件专业分销商BASiC基本半导体650V/1200V Hybrid IGBT 单管IGBT TO274-3和TO247-4 具备高速IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点,具备出色的开关速度和更低的开关损耗,TO-247 4 引脚封装具有一个额外的开尔文发射极连接。此 4 引脚也被称为开尔文发射极端子,绕过栅极控制回路上的发射极引线电感,从而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的开关速度并降低开关能量。主要规格有BGH50N65HF1,BGH50N65ZF1,BGH75N65HF1,BGH75N65ZF1,BGH40N120HF特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路。其常见应用包括:车载充电机(OBC)、ESS储能系统、PV inverter光伏逆变器、UPS不间断电源系统 (UPS),以及服务器和电信用开关电源 (SMPS) ,基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合,为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封,在部分应用中可以替代传统的IGBT (硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封),使IGBT的开关损耗大幅降低,适用于车载电源充电机(OBC)、通信电源、高频DC-DC电源转换器、储能等领域。BASiC基本半导体混合IGBT Hybrid Discrete搭载了为高频开关优化... [详细介绍]
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